声 明
更多

作者向本刊投稿即视为同意本刊对文章进行编辑、刊登和数字化发行。为适应我国信息化建设,扩大本刊及作者知识信息交流渠道,本刊被《中国学术期刊网络出版总库》及中国知网(CNKI)独家收录。如作者不同意文章被以上数据库收录,请在来稿时向编辑部声明,本刊将做适当处理。

详细内容

高压液相合成装备制备超纯碲锌镉及工艺研究

时间:2025-07-01     作者:杨武勇,雷 聪 ,何 嵘,薛正阳【转载】   来自:化学工程与装备

杨武勇1,雷 聪1 ,何 嵘²,薛正阳²

(1. 东方电气(乐山)峨半高纯材料有限公司,四川 乐山 614299;

2. 西南科技大学国防科技学院,四川 绵阳 621010)


摘 要:碲锌镉(CdZnTe)晶体具有独特的理化性能,在军事、民用等多个领城有着广泛的应用。然而传统合成工艺如常压合成具有生产效率较低、成本高的缺点。鉴于此,研究在原有基础上深入探索了合成装备与工艺条件的优化,创新性地设计了一种高压液相合成装置,用于制备超纯7N级别的碲锌镉。经由XRD图谱的细致分析,确定了在合成压力设定为4.0MPa、合成温度维持在1130℃、但温时长为6h以及来用镑料层数n=3的工艺参数下,所制备的样品纯度达到了最高水平。

关键词:超纯CdZnTe;高压液相合成装备;工艺条件


0 引言

受军事、民用及科研领域需求的驱动,碲镉汞(HgCdTe)红外探测器技术已演进至第三代红外焦平面阵列阶段。在此类探测器中,7N级别的CdZnTe作为一种关键的优质衬底材料扮演着重要角色,因其与HgCdTe之同展现出优异的晶格匹配性,能显著减少HgCdTe外延层的位错密度,从而使得 CdZnTe衬底生长 HgCdTe材料时相较于其他异质衬底(例如GaAs)具有无可比拟的优势。此外,CdZnTe晶体在X射线和γ射线探测器、太阳能电池、光调制器及激光窗口等领域同样展现出广泛的应用潜力,因而高质量CdZnTe晶体的制备与研究一直备受瞩目。当前,制备7N级别CdZnTe的主流方法是采用石英真空常压合成技术,然而,该技术存在石英管破裂的风险、设备产能受限、生产效率低下、成本高昂及利润空间有限等诸多问题。因此,本研究设计一种CdZnTe高压合成专用的坩埚,以高效解决高压合成过程中遇到的核心难题,克服物料在高温高压条件下的挥发流失问题,降低物料受到污染的风险,从而确保合成过程的顺利进行。

……


最新评论
请先登录才能进行回复登录
技术支持: 时代之光 | 管理登录
seo seo